Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode – Zündungs-IGBTs
Unser Zündungs-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (Zündungs-IGBT)
besitzt einen monolithischen Schaltkreis mit ESD und Überspannungsklemmschutz
zur Verwendung in Anwendungen mit induktiven Spulenantrieb.