LGD8201ATI Series - Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 400 V

Power Semiconductor DPAK Image
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Dieser Logikpegel-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) besitzt einen monolithischen Schaltkreis mit ESD- und Überspannungsklemmschutz zur Verwendung in Anwendungen mit induktiven Spulenantrieb. Er wird primär für Zündungen, direkte Kraftstoffeinspritzung und überall dort verwendet, wo Schaltungen bei hoher Spannung und hohem Strom erforderlich sind.

Eigenschaften:

  • DPAK-Einheit bietet eine kleinere Fläche und somit mehr Platz auf der Leiterplatte
  • ESD-Schutz mit Gate-Emitter
  • Spannungsklemme mit temperaturkompensiertem Gate-Kollektor begrenzt Belastung für die Last
  • Integrierter ESD-Dioden-Schutz
  • Niedrige Schwellenspannung gegenüber Schnittstellenstromlasten zu logischen oder Mikroprozessorgeräten
  • Niedrige Sättigungsspannung
  • Hohe Impulsstromkapazität
  • Optionaler Gate-Widerstand (RG) und Gate-Emitter-Widerstand (RGE)
  • Bleifreie Einheit verfügbar

Anwendungen:

  • Zündungssysteme
  • Direkte Kraftstoffeinspritzung
  • Einzelspulenzündung
  • Driver-on-Coil

Endprodukte:

  • Auto

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #TYP BVCES@IC (V)ICmax (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
Partner ECAD ModelsStockSamples
Katalog-Nr.TYP BVCES@IC (V)ICmax. (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
Partner ECAD-ModelleBeständeMuster
LGD8201ATI 400201.3250125LGD8201ATI CheckBestellen
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
LGD8201ATI DPAK, IGBT4 RoHS Nein 07/09/2020 PbFree Nein 07/09/2020 CoC_RoHS9_LGD8201ATI Yes
07/09/2020
IPC_LGD8201ATI
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