Silikon-Karbid-Informationen

Silicon Carbide Information - Technical Centers

Willkommen im Siliziumcarbid-Technologiezentrum

Diese Seiten wurden für Leistungselektroniker aller Erfahrungsstufen entwickelt und enthalten Referenzinformationen über die Eigenschaften von Siliziumkarbid und deren Vorteile in Halbleiteranwendungen, gängige Siliziumkarbid-Bauelemente und die Vorteile von Siliziumkarbid-Bauelementen gegenüber siliziumbasierten Bauelementen. Zusätzlich stehen hier Evaluierungskit-Referenzdesigns für unsere High-End-Siliziumkarbidprodukte zur Verfügung, um zukünftige Designzyklen zu beschleunigen. Diese Ressourcen dienen als Ergänzung zu unseren Siliziumkarbidprodukten.

Allgemeines Informationszentrum für Siliziumkarbid

Siliziumkarbid-Anwendungsunterstützung

  • Gate Drive-Evaluierungsplattform
  • Erforschen Sie die dynamische Leistung von Siliziumkarbid-Gate-Antriebskomponenten in einer kontrollierten, kontinuierlich schaltenden Testumgebung.
 

Siliziumkarbid-Nachrichten

  • PODCAST: Sujit Banerjee: Lab to Fab to Energy Efficient Silicon Carbide Semis
    11/8/18
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  • Littelfuse schließt Übernahme von Monolith Semiconductor ab
    11/1/18
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  • Littelfuse kündigt SiC MOSFET mit 1700 V und 1 Ohm an
    9/24/18
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  • Dynamische Charakterisierung von Hochgeschwindigkeits-SiC-Leistungs-MOSFET und -Dioden
    7/25/18
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  • Interview: Littelfuse erläutert die Übernahme von IXYS, die Zukunft von SiC und Nicht-SiC Komponenten
    7/6/18
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  • Littelfuse erläutert seinen aggressiven Umstieg auf SiC-Leistungsmodule auf der PCIM 2018
    6/8/18
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  • SiC Schottky-Dioden senken die Stromkosten und verringern den Platzbedarf
    6/5/18
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  • Littelfuse stellt auf der PCIM Europe 2018 das wachsende Portfolio von Leistungshalbleitern vor
    5/22/18
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  • PSDcast: Die Vorzüge von SiC-MOSFETs
    5/8/18
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  • Littelfuse führt auf der APEC 2018 die SiC-MOSFET mit 1200 V und extrem niedrigem Widerstsand vor
    3/6/18
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  • Littelfuse stellt auf der APEC 2018 das erweiterte Portfolio von Leistungshalbleitern vor
    3/1/18
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  • Littelfuse schließt Übernahme von IXYS ab
    1/17/18
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  • Erweiterte SiC Schottky-Diodenproduktlinie von Littelfuse verringert Schaltverluste und erhöht Effizienz und Widerstandsfähigkeit
    1/15/18
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  • Der erste SiC MOSFET von Littelfuse bietet extrem schnelle Schaltung in Hochleistungselektronik
    10/2/17
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  • Littelfuse „Die Zukunft von Leistungshalbleitern. Heute.“ Vorgestellt auf der PCIM Europa 2017
    5/30/17
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  • Die 1200V SiC Schottky-Dioden von Littelfuse sind die ersten Produkte der neuen Plattform und bieten weniger Schaltverluste und höhere Effizienz.
    5/16/17
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  • Littelfuse präsentiert „TechTalks LIVE!"- Serien auf der PCIM Europa 2017
    5/12/17
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  • Littelfuse stellt auf der PCIM Europa 2017 die Schottky-Dioden aus Silikon-Karbid mit hoher Geschwindigkeit, Flexibilität und Agilität vor
    5/11/17
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  • Littelfuse und Monolith Semiconductor schließen einen erfolgreichen Auftritt auf der APEC 2017 ab und bereiten sich auf die PCIM Europe 2017 vor.
    3/30/17
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  • Littelfuse und Monolith Semiconductor präsentieren neue SiC-Leistungshalbleitertechnologien auf der APEC 2017
    3/23/17
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  • Schottky-Barrieregleichrichter mit extrem niedriger Vorwärtsspannung von Littelfuse ist leistungsstärker als herkömmliche Schaltdioden
    5/10/16
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  • Littelfuse präsentiert: „Protect. Control. Sense“-Anwendungslösungen für den Markt bei der PCIM Europe 2016
    5/4/16
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  • Littelfuse investiert in Silikon-Karbid-Technologie
    12/17/15
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  • Nutzung der Leistungsfähigkeit von Siliziumkarbid
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