LGD8209TI Series - Ignition IGBT, 12 A, 410 V

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Dieser Logikpegel-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) besitzt einen monolithischen Schaltkreis mit ESD- und Überspannungsklemmschutz zur Verwendung in Anwendungen mit induktiven Spulenantrieb. Er wird primär für Zündungen, direkte Kraftstoffeinspritzung und überall dort verwendet, wo Schaltungen bei hoher Spannung und hohem Strom erforderlich sind.

Eigenschaften:

  • Ideal für Einzelspulenzündungen
  • DPAK-Einheit bietet eine kleinere Fläche und somit mehr Platz auf der Leiterplatte
  • ESD-Schutz für Gate-Emitter
  • Temperaturkompensierter Gate-Kollektor mit Spannungsklemme begrenzt
    Belastung für die Last
  • Niedrige Sättigungsspannung
  • Hohe Impulsstromkapazität
  • Dies sind bleifreie Geräte

Anwendungen:

  • Motorradzündungen
  • Einzelspulenzündung

Endprodukte:

  • Auto

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #TYP BVCES@IC (V)ICmax (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
StockSamples
Katalog-Nr.TYP BVCES@IC (V)ICmax. (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
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BeständeMuster
NGD8209NT4G 41012227494Prüfen Order
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
NGD8209NT4G IGNITION IGBT 12A, 410V RoHS Nein 08/15/2016 PbFree Nein 08/15/2016 Ja
08/15/2016
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