LGB8245TI Series - Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 450 V

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Dieser Logikpegel-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) besitzt einen monolithischen Schaltkreis mit ESD- und Überspannungsklemmschutz zur Verwendung in Anwendungen mit induktiven Spulenantrieb. Er wird primär bei Zündungen, direkten Kraftstoffeinspritzungen oder überall dort verwendet, wo Schaltungen bei hoher Spannung und hohem Strom notwendig sind.

Eigenschaften:

  • Ideal für Einzelspulenzündungen und Driver-on-Coil-Anwendungen
  • ESD-Schutz mit Gate-Emitter
  • Spannungsklemme mit temperaturkompensiertem Gate-Kollektor begrenzt Belastung für die Last
  • Integrierter ESD-Dioden-Schutz
  • Niedrige Schwellenspannung gegenüber Schnittstellenstromlasten zu logischen oder Mikroprozessorgeräten
  • Niedrige Sättigungsspannung
  • Hohe Impulsstromkapazität
  • Optionaler Gate-Widerstand (RG) und Gate-Emitter-Widerstand (RGE)

Anwendungen:

  • Zündungssysteme
  • Direkte Kraftstoffeinspritzung

Endprodukte:

  • Auto

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #TYP BVCES@IC (V)ICmax (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
Partner ECAD ModelsStockSamples
Katalog-Nr.TYP BVCES@IC (V)ICmax. (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
Partner ECAD-ModelleBeständeMuster
LGB8245TI 450201.1158150LGB8245TI CheckBestellen
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
LGB8245TI D2PAK, IGBT4 RoHS Nein 04/06/2021 PbFree Nein 04/06/2021 CoC_RoHS9_LGB8245TI REACH211_Declaration_Contain-_LGB8245TI Ja
04/06/2021
Enthält
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