LGD8205ATI Series - Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 350 V

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Dieser Logikpegel-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) besitzt einen monolithischen Schaltkreis mit ESD und Überspannungsklemmschutz zur Verwendung in Anwendungen mit induktiven Spulenantrieb. Er wird primär für Zündungen, Kraftstoffeinspritzungen oder überall dort verwendet, wo Hochspannungs- oder Hochstromschalter erforderlich sind.

Eigenschaften:

  • Ideal für Einzelspulenzündungen und Driver-on-Coil-Anwendungen
  • DPAK-Einheit bietet eine kleinere Fläche und somit mehr Platz auf der Leiterplatte
  • ESD-Schutz mit Gate-Emitter
  • Spannungsklemme mit temperaturkompensiertem Gate-Kollektor begrenzt Belastung für die Last
  • Integrierter ESD-Dioden-Schutz
  • Niedrige Schwellenspannung gegenüber Schnittstellenstromlasten zu logischen oder Mikroprozessorgeräten
  • Niedrige Sättigungsspannung
  • Hohe Impulsstromkapazität
  • Optionaler Gate-Widerstand (RG) und Gate-Emitter-Widerstand (RGE)

Anwendungen:

  • Zündungssysteme

Endprodukte:

  • Auto

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #TYP BVCES@IC (V)ICmax (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
Partner ECAD ModelsStockSamples
Katalog-Nr.TYP BVCES@IC (V)ICmax. (A)VCE(sat) (V)EAS (mJ)PDMAX
(W)
Partner ECAD-ModelleBeständeMuster
NGD8205ANT4G 350201.3250125NGD8205ANT4G CheckBestellen
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
NGD8205ANT4G IGNITION IGBT 20 A, 350 V RoHS Nein 11/30/2017 PbFree Nein 11/30/2017 CoC_RoHS9_NGD8205ANT4G REACH201_Declaration_with_Pb_NGD8205ANT4G Ja
11/30/2017
Enthält
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