MOSFETs
X2
|
Hauptschalttransistor in SMPS
|
Niedrige RDS(ON): niedrige Gate-Ladung, dv/dt-Robustheit
|
|
IGBTs
MIXA, MIXG
|
Umschaltung der Stromversorgung
|
Rugged design with thin wafer technology; Short circuit rated for 10 μsec, low gate charge; low EMI and competitive low Vce(sat)
|
|
Diodenmodule
SP3213, PESD
|
Umschaltung der Stromversorgung |
Rugged design with thin wafer technology; Short circuit rated for 10 μsec; low gate charge; low EMI and competitive
|
|
Diodenarrays
SP1012, SP1003, AQxx-02HTG
|
Schutz sensibler Elektronikausrüstung vor Spannungstransienten
|
Äußerst niedrige Kapazität; kompakter Formfaktor; niedrige Klemmspannung, geringer Leckstrom; kleinster verfügbarer Fußabdruck der Branche (0201) |
|
TVS-Dioden
SMCJ, P6KE, P6SMB
|
Schutz sensibler elektronischer Komponenten vor Spannungstransienten |
600 W höchste Impulsrate; Glas-passivierte Chip-Verzweigung |
|
Polymer ESD-Entstörer
PGB10603, PGB10402
|
Schutz des WLAN-Chipsatzes vor von Benutzern ausgelösten ESD-Ereignissen |
Äußerst niedrige Kapazität; kompakter Formfaktor; geringer Leckstrom; schnelle Reaktion |
|
TVS-Arrays
SPXX, SACB, SMAJ, SMBJ, PESD, SP3213, SM712
|
Schutz integrierter Schaltkreise vor ESD |
Hervorragende Klemmfähigkeit, geringe Kapazität von 1,0 pF pro I/O |
|
Gate Drive
IX4340 |
High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber für Power-MOSFETs
|
In der Lage, bis zu 5 A abzugeben und zu absorbieren |
|
SCR
SJxx08xSx/SJxx08xx |
Löst ein elektromechanisches Relais aus, um elektrische Kontakte während einer Störung zu trennen
|
Spannungspotenzial von bis zu 600 V; hohes Ableitvermögen von bis zu 100 A
|
|
MOV
LA, C-III, UltraMOV |
Schutz des Aggregats vor Blitzschlag und anderen Spannungstransienten in der Wechselstromleitung |
Kann in puncto Überspannungsfestigkeit umfassende Spezifikationen erfüllen: 40–530 J (2 mS)
|