Entwickelt, um MOSFETs und IGBTs aus Silikon für sehr schnelle Schaltungen in Leistungsumwandlungssystemen zu übertreffen
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CHICAGO, 6. März 2018 – Littelfuse, Inc., der Weltmarktführer im Stromkreisschutz, und Monolith Semiconductor Inc., ein Unternehmen aus Texas, das die Siliciumcarbid-Technologie entwickelt hat, ergänzen ihr wachsendes Portfolio von Leistungshalbleitergeräten der ersten Generation heute um zwei 1200 V (SiC) N-Kanal-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Erweiterungsmodus. Diese neuen SiC MOSFETs sind die jüngsten Produkte der strategischen Partnerschaft, die Littelfuse und Monolith im Jahr 2015 eingingen, um gemeinsam an der Entwicklung von Leistungshalbleitern für Industrie- und Automobilmärkte zu arbeiten. Die Ankündigung fand am Stand von Littelfuse während der Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC 2018) statt.
Die SiC MOSFETs LSIC1MO120E0120 und LSIC1MO120E0160 bieten extrem niedrigen Widerstand im „An“-Zustand (RDS(ON)) von nur 120 Millliohm bzw. 160 Milliohm. Diese SiC MOSFETs wurde zum Einsatz als Schalter für Leistungshalbleiter in vielen Leistungsumwandlersystemen entwickelt. Sie sind den MOSFETs aus Silicium in Sachen Blockspannung, Einschaltungswiderstand und Sperrschichtkapazität wesentlich überlegen. Außerdem bieten sie eine Kombination hoher Betriebsspannungen und sehr schneller Schaltleistungen, die herkömmliche Leistungstransistorlösungen, z. B. IGBTs mit ähnlichem Nennstrom, nicht erreichen.
Typische Anwendungsmöglichkeiten für diese neuen SiC MOSFETs umfassen:
- Elektrofahrzeuge
- Industrielle Maschinenanlagen
- Erneuerbare Energien (z. B. Solarinverter)
- Medizinische Geräte
- Schaltnetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Motorantriebe
- DC/DC-Hochspannungswandler
- Induktionserhitzung
„Diese neuen SiC MOSFETs ermöglichen Entwicklern von Leistungskonvertern eine moderne Alternative zu herkömmlichen Transistoren aus Silicium“, sagte Michael Ketterer, Product Marketing Manager für Leistungshalbleiter von Littelfuse. „Die Materialeigenschaften und extrem schnellen Schalteigenschaften bieten verschiedene Möglichkeiten zur Designoptimierung, einschließlich erhöhter Leistungsdichte, höherer Effizienz und der Möglichkeit niedrigerer Listenpreise.“
Zu den Vorteilen der neuen 1200 V SiC MOSFETs gehören:
- Eine Reduzierung passiver Filterkomponenten auf Systemebene unterstützt eine erhöhte Leistungsdichte. Dies führt zu einem Design, das zur Nutzung in sehr effizienten Hochfrequenzanwendungen optimiert wurde.
- Extrem niedrige Gate-Aufladung und Ausgangskapazität mit äußerst niedrigem Einschaltwiderstand für minimale Verlustleistung, höhere Effizienz und eine Senkung von Größe und Professionalität der erforderlichen Kühltechniken.
Verfügbarkeit
Die SiC MOSFETs LSIC1MO120E0120 und LSIC1MO120E0160 sind in TO-247-3L-Paketen in Röhrchen von 450 erhältlich. Muster können weltweit über autorisierte Littelfuse Distributoren angefordert werden. Eine Liste der LittelfuseDistributoren finden Sie auf littelfuse.com.
Erfahren Sie mehr
Weitere Informationen zu LSIC1MO120E0120 und LSIC1MO120E0160 finden Sie auf der Produktseite der SiC MOSFETs. Kontaktieren Sie bei technischen Fragen: Michael Ketterer, Product Marketing Manager für Leistungshalbleiter bei Littelfuse mketterer@littelfuse.com.
Über Littelfuse
Littelfuse wurde 1927 gegründet und ist der weltweit führende Anbieter im Bereich Stromkreisschutz, mit stetig wachsenden weltweiten Plattformen für Leistungsregelung und -sensorik. Das Unternehmen bedient weltweit Kunden in den Märkten Elektronik, Automobil und Industrie mit Technologien wie Sicherungen, Halbleitern, Polymeren, Keramik, Schaltern und Sensoren. Das Unternehmen hat über 11.000 Mitarbeiter an mehr als 50 Standorten in Amerika, Europa und Asien. Weitere Informationen erhalten Sie unter Littelfuse.com.
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