Willkommen im Siliziumcarbid-Technologiezentrum
Diese Seiten wurden für Leistungselektroniker aller Erfahrungsstufen entwickelt und enthalten Referenzinformationen über die Eigenschaften von Siliziumkarbid und deren Vorteile in Halbleiteranwendungen, gängige Siliziumkarbid-Bauelemente und die Vorteile von Siliziumkarbid-Bauelementen gegenüber siliziumbasierten Bauelementen. Zusätzlich stehen hier Evaluierungskit-Referenzdesigns für unsere High-End-Siliziumkarbidprodukte zur Verfügung, um zukünftige Designzyklen zu beschleunigen. Diese Ressourcen dienen als Ergänzung zu unseren Siliziumkarbidprodukten.
Allgemeines Informationszentrum für Siliziumkarbid
Siliziumkarbid-Anwendungsunterstützung
- Gate Drive-Evaluierungsplattform
- Erforschen Sie die dynamische Leistung von Siliziumkarbid-Gate-Antriebskomponenten in einer kontrollierten, kontinuierlich schaltenden Testumgebung.
Siliziumkarbid-Nachrichten
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Beschleunigen Sie die Designzyklen von SiC-basierten Leistungswandlern mit der Littelfuse Gate Drive-Evaluierungsplattform
1/14/20
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Littelfuse macht den ersten Spatenstich für eine neue Leistungshalbleiter-Montageeinrichtung
6/25/19
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PCIM Europa 2019: Neue 1,000 V Ultra Junction X-Class HiPerFET™ MOSFETs von Littelfuse
5/7/19
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Littelfuse stellt auf APEC 2019 650 V SiC Schottky-Dioden mit neuen Gehäusegrößen vor, Bemessungsströme von 6 A bis 40 A
3/19/19
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Littelfuse stellt Leistungs-Halbleiterprodukte auf der Applied Power Electronics Conference & Exposition vor
3/18/19
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GEN2 650 V SiC Schottky-Dioden bieten verbesserte Effizienz, Verlässlichkeit und Temperaturkontrolle
2/11/19
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Der kometenhafte Aufstieg von Siliziumkarbid
1/7/19
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PODCAST: Sujit Banerjee: Vom Labor zur Fabrikation von energieeffizienten Siliziumkarbid-Halbleitern
11/8/18
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Littelfuse schließt Übernahme von Monolith Semiconductor ab
11/1/18
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Littelfuse kündigt SiC MOSFET
mit 1700 V und 1 Ohm an
9/24/18
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Interview: Littelfuse erläutert die Übernahme von IXYS, die Zukunft von SiC und Nicht-SiC Komponenten
7/6/18
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Littelfuse erläutert seinen aggressiven Umstieg auf SiC-Leistungsmodule auf der PCIM 2018
6/8/18
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SiC Schottky-Dioden senken die Stromkosten und verringern den Platzbedarf
6/5/18
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Littelfuse stellt auf der PCIM Europe 2018 das wachsende Portfolio von Leistungshalbleitern vor
5/22/18
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PSDcast: Die Vorzüge von SiC-MOSFETs
5/8/18
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Littelfuse führt auf der APEC 2018 die SiC-MOSFET mit 1200 V und extrem niedrigem Widerstsand vor
3/6/18
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Littelfuse stellt auf der APEC 2018 das erweiterte Portfolio von Leistungshalbleitern vor
3/1/18
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Littelfuse schließt Übernahme von IXYS ab
1/17/18
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Erweiterte SiC Schottky-Diodenproduktlinie von Littelfuse verringert Schaltverluste und erhöht Effizienz und Widerstandsfähigkeit
1/15/18
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Der erste SiC MOSFET von Littelfuse bietet extrem schnelle Schaltung in Hochleistungselektronik
10/2/17
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Littelfuse „Die Zukunft von Leistungshalbleitern. Heute.“ Vorgestellt auf der PCIM Europa 2017
5/30/17
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Die 1200V SiC Schottky-Dioden von Littelfuse sind die ersten Produkte der neuen Plattform und bieten weniger Schaltverluste und höhere Effizienz.
5/16/17
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Littelfuse präsentiert „TechTalks LIVE!"- Serien auf der PCIM Europa 2017
5/12/17
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Littelfuse stellt auf der PCIM Europa 2017 die Schottky-Dioden aus Silikon-Karbid mit hoher Geschwindigkeit, Flexibilität und Agilität vor
5/11/17
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Littelfuse und Monolith Semiconductor schließen einen erfolgreichen Auftritt auf der APEC 2017 ab und bereiten sich auf die PCIM Europe 2017 vor.
3/30/17
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Littelfuse und Monolith Semiconductor präsentieren neue SiC-Leistungshalbleitertechnologien auf der APEC 2017
3/23/17
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Schottky-Barrieregleichrichter mit extrem niedriger Vorwärtsspannung von Littelfuse ist leistungsstärker als herkömmliche Schaltdioden
5/10/16
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Littelfuse präsentiert: „Protect. Control. Sense“-Anwendungslösungen für den Markt bei der PCIM Europe 2016
5/4/16
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Littelfuse investiert in Silikon-Karbid-Technologie
12/17/15
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Nutzung der Leistungsfähigkeit von Siliziumkarbid
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