LSIC1MO170E1000 Series - Enhancement-mode SiC MOSFET, 1700 V, 1 Ohm, N-channel

Baureihe: LSIC1MO170E1000
Ersetzt durch LSIC1MO170E0750 Verfügbarkeit: Produktionseinstellung/Veraltet

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Power Semiconductor Silicon Carbide LSIC1MO170E1000 Image
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Der Littelfuse Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET LSIC1MO170E1000 ist mit 1700 V, 1 Ohm in einer TO-247-3L-Einheit bewertet. 

Funktionen:
  • Optimiert für hoch effiziente Hochfrequenzanwendungen
  • Extrem niedrige Gate-Ladung und Output-Kapazität
  • Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
  • Normalzustand „Aus“ bei allen Temperaturen
  • Extrem niedriger Widerstand im „An“-Zustand

Anwendungen:

  • Solar-Umrichter
  • Schaltnetzteile
  • UPS
  • Motorantriebe
  • DC/DC-Hochspannungswandler
  • Induktionserhitzung

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)RoHSTJ Max (°C)Replaced By PartPartner ECAD Models
Katalog-Nr.Nennspannung (V)Typischer Widerstand im „An“-Zustand (mOhm)Nennstrom (A)Gate-Ladung (nC)KonfigurationAntriebsspannungen (V)Schaltenergie (uJ)RoHSTJ Max. (°C)Ersetzt durch TeilPartner ECAD-Modelle
LSIC1MO170E1000
Auslaufdatum: 09.11.2023
Ersetzt durch: LSIC1MO170E0750
17007503.515N-Kanal20/-584Ja150LSIC1MO170E0750LSIC1MO170E1000
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
LSIC1MO170E1000 1700V/1000mohm SiC MOSFET TO-247-3L RoHS Nein 02/01/2021 PbFree Nein 02/01/2021 Ja
02/01/2021
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