LSIC1MO170E0750 Series - LSIC1MO170E0750 1700 V, 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET

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Die Littelfuse 1700 V, 750 mOhm Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs bringen die schnelle Schalt- und Energiesparleistung von SiC in den 1700 V-Spannungsbereich und zielen auf Hilfsstromversorgungen. Der MOSFET ist in 3 verschiedenen diskreten Gehäusen erhältlich, seit kurzem auch in einer TO-268-2L-Option mit zusätzlichem Abstand zwischen Source- und Gate-Pin. Der separierte Source-Pin der TO-268-7L-Option reduziert den parasitären Source-Induktivitätspfad zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei Hochleistungs-Anwendungen beiträgt. Die maximale Sperrschichttemperatur im Betrieb beträgt 175 ºC.

Eigenschaften:

  • Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(ON) 750 mΩ (typ.)
  • Gate-Widerstand 29 Ω typ.
  • Dauer-Drainstrom ~4,4 A bei 100 °C
  • Dioden-Sperrstrom 9 A kont. bei 25 °C
  • Betriebstemperatur Anschluss bis zu 175 °C

Anwendungen:

  • Hilfsstromversorgungen
  • Energieerzeugung und -speicherung
  • Traktion
  • Industrie-SMPS und Antriebe
  • EV DC-Ladegeräte

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)TJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStockSamples
Katalog-Nr.Nennspannung (V)Typischer Widerstand im „An“-Zustand (mOhm)Nennstrom (A)Gate-Ladung (nC)KonfigurationAntriebsspannungen (V)Schaltenergie (uJ)TJ Max. (°C)Bestand prüfenPartner ECAD-ModelleBeständeMuster
LSIC1MO170E0750 17007504.413N-Kanal20/-5113175JaLSIC1MO170E0750 CheckBestellen
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