NGD15N41ACLT4G – LGB15N41ATI-Baureihe

Power Semiconductor DPAK Image
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Dieser Logikpegel-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) besitzt einen monolithischen Schaltkreis mit ESD- und Überspannungsklemmschutz zur Verwendung in Anwendungen mit induktiven Spulenantrieb. Er wird primär für Zündungen, direkte Kraftstoffeinspritzung und überall dort verwendet, wo Schaltungen bei hoher Spannung und hohem Strom erforderlich sind.

Eigenschaften:

  • DPAK-Einheit bietet eine kleinere Fläche und somit mehr Platz auf der Leiterplatte
  • ESD-Schutz mit Gate-Emitter
  • Spannungsklemme mit temperaturkompensiertem Gate-Kollektor begrenzt Belastung für die Last
  • Integrierter ESD-Dioden-Schutz
  • Neues Zelldesign steigert die gelöste, induktive Schaltungsenergie (UIS) je Bereich
  • Kurzschluss-Widerstandsfähigkeit
  • Niedrige Schwellenspannung gegenüber Schnittstellenstromlasten zu logischen oder Mikroprozessor-Geräten
  • Niedrige Sättigungsspannung
  • Hohe Impulsstromkapazität
  • Optionaler Gate-Widerstand (RG) und Gate-Emitter-Widerstand (RGE)

Anwendungen:

  • Zündungssysteme
  • Einzelspulenzündung

Endprodukte:

  • Auto
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
NGD15N41ACLT4G IGNITION IGBT 15 A, 410 V RoHS Nein 09/12/2017 PbFree Nein 09/12/2017 Ja
09/12/2017
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