IXBK55N300 – Baureihe für sehr hohe Spannungen

Littelfuse Power Semi TO-264 3 H 4R 1W2N 3L image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

In den BiMOSFET-Geräten vereinigen sich die Stärken von MOSFETs und IGBTs. Dank der nicht epitaktischen Konstruktion und neuer Herstellungsverfahren sind  BiMOSFETs zu einem großen Erfolg geworden. Diese Hochspannungsgeräte sind aufgrund des positiven Spannungs-Temperaturkoeffizienten sowohl der Sättigungsspannung als auch des Durchlassspannungsabfalls der Eigendiode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese „freie“ intrinsische Diode als Schutzdiode, die für den induktiven Laststrom beim Abschalten des Geräts einen alternativen Weg bietet und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten Schäden am Gerät verursachen.

Eigenschaften:

  • Intrinsische Diode
  • Hohe Leistungsdichte
  • Hochfrequenzbetrieb
  • Niedrige Leitungsverluste
  • MOS-Gate-Einschaltfunktion für einfache Bedienung
  • 4000 V elektrische Isolierung

Vorteile:

  • Niedrige Anforderungen an den Gate-Antrieb
  • Platzeinsparung (vermeidet mehrere serienparallele Geräte mit geringerer Spannung und geringerem Nennstrom)
  • Einfach zu montieren

Anwendungen:

  • Schalt- und Resonanzmodus-Netzgeräte
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Laser- und Röntgengeneratoren
  • Kondensator-Entladekreise
  • Hochspannungsimpulsstromkreise
  • Hochspannungstestgeräte
  • Wechselstromschalter
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