Rückwärtsleitende IGBTs (BiMOSFETs)


Hochspannung Datenblatt Details zur Baureihe Muster bestellen 1600 V – 1700 V Rückwärtsleitung (BiMOSFET™) IGBTs Status: Active, Inactive Part, Not for New Designs, Phase Out/Obsolete V_CES (V): 1600, 1700 I_C @ 25 ℃ (A): 5.7, 7, 9, 10, 16, 20, 28, 33, 38, 40 more	Sehr hohe Spannungen Datenblatt Details zur Baureihe Muster bestellen 2500 V – 3600 V Rückwärtsleitung (BiMOSFET™) IGBTs Status: Active, Not for New Designs, Obsolete, Phase Out/Obsolete V_CES (V): 2500, 3000, 3600 I_C @ 25 ℃ (A): 5, 26, 28, 30, 34, 38, 40, 45, 48, 50 more

BiMOSFETs