High Voltage Series - 1600V - 1700V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

Littelfuse Discrete IGBTs High Voltage Image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

In den BiMOSFET-Geräten vereinigen sich die Stärken von MOSFETs und IGBTs. Dank der nicht epitaktischen Konstruktion und neuer Herstellungsverfahren sind  BiMOSFETs zu einem großen Erfolg geworden. Diese Hochspannungsgeräte sind aufgrund des positiven Spannungs-Temperaturkoeffizienten sowohl der Sättigungsspannung als auch des Durchlassspannungsabfalls der Eigendiode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese „freie“ intrinsische Diode als Schutzdiode, die für den induktiven Laststrom beim Abschalten des Geräts einen alternativen Weg bietet und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten Schäden am Gerät verursachen.

Eigenschaften:

  • Hohe Sperrspannung
  • Hohe Leistungsdichte
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Niedrige Leitungsverluste
  • MOS-Gate-Einschaltfunktion für einfache Bedienung
  • Internationaler Standard und proprietäre ISOPLUSTM-Pakete

Vorteile:

  • Vermeidet mehrere serienparallele Geräte mit geringerer Spannung und geringerem
    Nennstrom
  • Einfacheres Systemdesign
  • Verbesserte Zuverlässigkeit
  • Reduzierte Komponentenanzahl
  • Reduzierte Systemkosten

Anwendungen:

  • Radarsender-Stromversorgungen
  • Radarpulsmodulatoren
  • Kondensator-Entladekreise
  • Hochspannungsnetzgeräte
  • Wechselstromschalter
  • Hochspannungs-Leistungsschutzschalter
  • Impulsschaltungen
  • Hochspannungstestgeräte
  • Laser- und Röntgengeneratoren

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #StatusVCES (V)IC @ 25 ℃ (A)VCE(sat) (V)tfi (ns)ConfigurationPackage Typetf (ns)RthJC (K/W)IC @ 90 ℃ (A)IC @ 110 ℃ (A)Driving Voltages (V)Part DatasheetSPICE ModelPartner ECAD ModelsCompare
  
Katalog-Nr.StatusVCES (V)IC @ 25 ℃ (A)VCE(sat) (V)tfi (ns)KonfigurationVerpackungsarttf (ns)RthJC (K/W)IC @ 90 ℃ (A)IC @ 110 ℃ (A)Antriebsspannungen (V)Teil-DatenblattSPICE-ModellPartner ECAD-ModelleVergleichen
  
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IXBK75N170 Active17002003.1Copack (FRED)TO-2640.1275Part SPICEIXBK75N170
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IXBX75N170A Active17001106Copack (FRED)TO-247 PLUS0.1265Part  IXBX75N170A
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