IX4351NE – Low-Side-Treiber-Serie mit Ladungspumpe​​​​​​​

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Hinweis zum Haftungsausschluss

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Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.​​​​​​​ Separate 9 A Quell- und Senken-Ausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalt-Timing bei gleichzeitiger Minimierung der Schaltverluste. Ein interner negativer Ladungsregler bietet eine wählbare negative Gate-Treibervorspannung für verbesserte dV/dt-Immunität und schnelleres Abschalten.

Ein Entsättigungserkennungsschaltkreis erkennt einen Überstromzustand des SiC-MOSFETs und leitet eine sanfte Abschaltung ein, wodurch ein potenziell schädliches dV/dt-Ereignis verhindert wird.​​​​​​​ Der Logikeingang ist TTL- und CMOS-kompatibel; dieser Eingang muss auch bei negativer Gate-Drive-Vorspannung nicht gepegelt werden.​​​​​​​ Zu den Schutzfunktionen gehören UVLO und die Erkennung der thermischen Abschaltung.​​​​​​​ Ein Open-Drain-Ausgang FAULT signalisiert dem Mikrocontroller einen Fehlerzustand.

Der IX4351NE ist für einen Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +125°C ausgelegt und in einem thermisch optimierten SOIC-Gehäuse mit 16 Polen erhältlich.​​​​​​​

Eigenschaften:

  • Getrennte 9-A Peak Source und Sink-Ausgänge
  • Betriebsspannungsbereich: -10 V bis +25 V
  • Interner negativer Ladungspumpenregler für wählbare negative Gate-Treibervorspannung​​​​​​​
  • Entsättigungserkennung mit Soft Shutdown Sink-Treiber​​​​​​​
  • TTL- und CMOS-kompatibler Eingang
  • Unterspannungsabschaltung (UVLO)​​​​​​​
  • Thermische Abschaltung
  • Open-Drain-Ausgang FAULT
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