SiC-MOSFET- und IGBT-Treiber-ICs

IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und
Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Ein interner Laderegler sorgt für eine wählbare
negative Gate-Treiber-Spannung für bessere dV/dt-Immunität und schnelleres
Abschalten. Zu den weiteren Merkmalen gehören: geteilte Source/Sink-Ausgänge, DESAT-
Erkennung, Sanftabschaltung, UVLO, thermische Abschaltung, FAULT-Ausgang.


Low-Side-Treiber-Serie mit Ladungspumpe, Datenblatt Details zur Baureihe Muster bestellen Ultraschneller Low-Side SiC-MOSFET und IGBT-Treiber mit negativer Ladungspumpe Drive Current (A_peak): 9 Output Resistance Source / Sink (Ω): 2 / 1.5 Logic Configurations: non-inverting	AEC-Q100-qualifizierte Low-Side-SiC-Treiber Datenblatt Details zur Baureihe Muster bestellen Ultraschneller Low-Side SiC-MOSFET und IGBT-Treiber mit negativer Ladungspumpe Drive Current (A_peak): 9 Output Resistance Source / Sink (Ω): 2 / 1.5 Logic Configurations: non-inverting