SP1064E-04UTG – SP1064E-Baureihe

Littelfuse TVS Diode Array SP1064E Image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Die SP1064E-04UTG ist eine Lawineneffekt-Zenerdiode, die in einer proprietären Silizium-Lawineneffekt-Technologie hergestellt wird, die alle I/O-Pins schützt, um ein hohes Maß an Schutz für elektronische Geräte zu bieten, die zerstörerischen elektrostatischen Entladungen (ESD) ausgesetzt sein können. Diese robusten Dioden können wiederholte ESD-Stoßströme auch über dem maximalen Niveau der internationalen Norm IEC 61000-4-2 (Stufe 4, ±8 kV Kontaktentladung) ohne Leistungsminderung absorbieren.

Eigenschaften & Vorteile:

  • ESD, IEC 61000-4-2, ±25 kV Kontakt, ±30 kV Luft
  • EFT, IEC 61000-4-4, 40 A (5/50 ns)
  • Überspannungstoleranz, IEC 61000-4-5, 2. Ausgabe, 3,5 A (8/20 μs)
  • Geringe Kapazität von 14,0 pF (TYP) pro I/O
  • Geringer Leckstrom von 0,05 μA (TYP) bei 60 V
  • Kleiner Formfaktor μDFN (JEDEC MO-229) Gehäuse spart Platz auf der Leiterplatte
  • Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL-1)

Anwendungen:

  • LCD- und Plasma-Fernseher
  • DVD-Player
  • Desktops
  • MP3/PMP
  • Set-Top-Boxen
  • Mobiltelefone
  • Notebooks
  • Digitalkameras

 

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