LSIC2SD170B10 Series - GEN2 SiC Schottky Diode LSIC2SD170B10, 1700 V, 10 A, TO-247-2L

Littelfuse silicon carbide LSIC2SD170B10 LSIC2SD170B50 LSIC2SD170B25
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Die LSIC2SD170Bxx 1700 V SiC-Schottky-Barriere-Dioden in TO-247-2L sind in den Stromstärken 10 A, 25 A und 50 A erhältlich.
SiC-Schottky-Dioden haben eine äußerst geringe Sperrverzögerung, was die Schaltverluste verringert und die Systemeffizienz erhöht.
Diese Baureihe von Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden hat eine hohe Überspannungsfestigkeit, einen positiven Temperaturkoeffizienten für einfache Parallelschaltung und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Diese Baureihe ist ein idealer Kandidat für Anwendungen, bei denen Verbesserungen des Wirkungsgrads, höhere Zuverlässigkeit bei Parallelschaltung und Wärmemanagement erforderlich sind.

Eigenschaften:

  • Positiver Temperatur-Koeffizient
  • 175 °C maximale Sperrschichtbetriebstemperatur
  • Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Nahezu null Sperrverzögerungsstrom
  • Hohe Stromfestigkeit
  • Niedriger RthJC

Anwendungen:

  • Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen
  • Schaltnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Solar-Umrichter
  • Industrielle Motorantriebe
  • EV-Ladestationen

Chinesische UntertitelJapanische Untertitel

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Catalog #VRRM (V)Peak Forward Surge Current IFSM (A)QC (nC)TJ Max (°C)Forward Continuous Current IF (A)Reverse Current IR (µA)AEC-Q101 QualifiedVf (V)ConfigurationPartner ECAD ModelsStockSamples
Katalog-Nr.VRRM (V)Spitzendurchlassstrom IFSM (A)QC (nC)TJ Max. (°C)Durchlassstrom IF (A)Gegenstrom IR (µA)AEC-Q101-qualifiziertVf (V)KonfigurationPartner ECAD-ModelleBeständeMuster
LSIC2SD170B10 1700727417510<1Ja1.5EinfachLSIC2SD170B10 CheckBestellen
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