LSIC2SD120N120PA Series - GEN2 SiC Schottky Diode LSIC2SD120N120PA, 1200 V, 2x60 A, SOT-227B (miniBLOC)

Littelfuse power semiconductor silicon carbide LSIC2SD120NxxPA
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Diese Serie von Schottky-Dioden aus Siliciumcarbid (SiC) hat einen vernachlässigbaren
Sperrverzögerungsstrom, ein hohes Ableitvermögen und eine
maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese
Dioden eignen sich perfekt für Anwendungen, bei denen bessere
Effizienz, Zuverlässigkeit und Temperaturkontrolle wünschenswert sind.

Eigenschaften:

  • Positiver Temperatur-Koeffizient für sicheren Betrieb und zur einfachen Parallelschaltung
  • Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
  • Hervorragender Überspannungsschutz
  • Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Dramatisch reduzierte Schaltverluste im Vergleich zu Si-Bipolar-Dioden
  • Null Sperrverzögerungsstrom
  • Kupfer-Grundplatte mit AlN-Isolierung für geringen thermischen Widerstand
  • Isolationsspannung: 3000 V
  • UL-Anerkennung ausstehend unter Aktenzeichen E72873

Anwendungen:

  • Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen
  • Schaltnetzteile
  • Solar-Umrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Industrielle Motorantriebe
  • Akkuladegeräte
  • Hochgeschwindigkeits-Gleichrichter

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #VRRM (V)Peak Forward Surge Current IFSM (A)QC (nC)TJ Max (°C)Package TypeForward Continuous Current IF (A)Reverse Current IR (µA)Vf (V)ConfigurationStockSamples
Katalog-Nr.VRRM (V)Spitzendurchlassstrom IFSM (A)QC (nC)TJ Max. (°C)VerpackungsartDurchlassstrom IF (A)Gegenstrom IR (µA)Vf (V)KonfigurationBeständeMuster
LSIC2SD120N120PA 1200440368175SOT-227120<11.5DualPrüfen Order
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