LSIC2SD065A08A Series - 650 V, 8 A SiC Schottky Barrier Diode in TO-220-2L

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Diese Baureihe von Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden hat einen vernachlässigbaren Sperrverzögerungsstrom, ein hohes Ableitvermögen und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Dioden eignen sich perfekt für Anwendungen, bei denen bessere Effizienz, Zuverlässigkeit und Temperaturkontrolle wünschenswert sind. 


Eigenschaften:

  • AEC-Q101-qualifiziert 
  • Positiver Temperatur-Koeffizient für sicheren Betrieb und zur einfachen Parallelschaltung
  • Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
  • Hervorragender Überspannungsschutz
  • Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Dramatisch reduzierte Schaltverluste im Vergleich zu Si-Bipolar-Dioden 

 Anwendungen:

  • Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen 
  • Schaltnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Solar-Umrichter
  • Industrielle Motorantriebe
  • EV-Ladestationen

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #Peak Forward Surge Current IFSM (A)Package TypeForward Continuous Current IF (A)Reverse Current IR (µA)Vf (V)ConfigurationRoHSPartner ECAD ModelsStock
Katalog-Nr.Spitzendurchlassstrom IFSM (A)VerpackungsartDurchlassstrom IF (A)Gegenstrom IR (µA)Vf (V)KonfigurationRoHSPartner ECAD-ModelleBestände
LSIC2SD065A08A 40TO-220-2L811.5EinfachJaLSIC2SD065A08A Check
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
LSIC2SD065A08A 650V/8A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101 RoHS Nein 08/01/2019 PbFree Nein 08/01/2019 CoC_RoHS9_LSIC2SD065A08A REACH201_Declaration_with_Pb_LSIC2SD065A08A Ja
08/01/2019
Enthält
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