LSIC1MO170T0750 Series - LSIC1MO170T0750 1700 V, 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET

Littelfuse silicon carbide LSIC1MO170TO750_image
Zum Vergrößern Mauszeiger über Text bewegen
Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Unsere neuen 1700 V, 750 mOhm Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs werden in einem TO-263-7L-Gehäuse angeboten. Der getrennte Source-Pin reduziert den Pfad der parasitären Source-Induktivität zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei Hochleistungsanwendungen beiträgt. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C.
Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.

Eigenschaften

  • Optimiert für hocheffiziente Hochfrequenz-
    anwendungen
  • Extrem niedrige Gate-Ladung und Ausgangs-
    Kapazität
  • Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
  • Normalzustand „Aus“ bei allen Temperaturen
  • Extrem niedriger Widerstand im „An“-Zustand
  • Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiber-Source-Pin
  • MSL 1-bewertet

Anwendungen

  • Hochfrequenzanwendungen
  • Solar-Umrichter
  • Schaltnetzteile
  • UPS
  • Motorantriebe
  • Hochspannungswechselrichter
  • Akkuladegeräte
  • Induktionserhitzer

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationPackage TypeDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)TJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStock
Katalog-Nr.Nennspannung (V)Typischer Widerstand im „An“-Zustand (mOhm)Nennstrom (A)Gate-Ladung (nC)KonfigurationVerpackungsartAntriebsspannungen (V)Schaltenergie (uJ)TJ Max. (°C)Bestand prüfenPartner ECAD-ModelleBestände
LSIC1MO170T0750 17007504.511N-KanalTO-263-7L20/-5123175JaLSIC1MO170T0750 Check
Um umweltbezogene Produktinformationen anzufordern, füllen Sie bitte das Anfrageformular für umweltbezogene Produktinformationen aus.