LSIC1MO120G0120 Series - LSIC1MO120G0120 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET

Littelfuse Silicon Carbide LSIC1MO120G0xxx image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Littelfuse SiC-MOSFETs sind in den Nennstromstärken 14 A, 18 A, 25 A, 50 A und 70 A erhältlich. Sie sind im TO-247-4L-Gehäuse mit einem Kelvin-Quellenanschluss erhältlich. Die Pin-Anordnung vereinfacht nicht nur das Leiterplattenrouting, sondern reduziert durch den Kelvin-Quellenanschluss auch die Streuinduktivität in der Gate-Treiberschaltung. Dies wiederum führt zu einer Verbesserung des Wirkungsgrads, des EMI-Verhaltens und der Schaltleistung.
Die MOSFETs zeigen eine überragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit und sind auf Schaltleistung optimiert. 

Eigenschaften:

  • Positiver Temperatur-Koeffizient
  • 175 ºC maximale Sperrschichttemperatur
  • Schnelles und verlustarmes Schalten, MOSFETs optimiert für hochfrequentes Schalten
  • SiC-Dioden mit nahezu null Sperrverzögerungsstrom
  • Dedizierte Kelvin-Verbindung zur Quelle
  • Niedriger RthJC 

Anwendungen:

  • Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen
  • Schaltnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Solar-Umrichter
  • EV-Ladestationen

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)TJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStockSamples
Katalog-Nr.Nennspannung (V)Typischer Widerstand im „An“-Zustand (mOhm)Nennstrom (A)Gate-Ladung (nC)KonfigurationAntriebsspannungen (V)Schaltenergie (uJ)TJ Max. (°C)Bestand prüfenPartner ECAD-ModelleBeständeMuster
LSIC1MO120G0120 12001201863N-Kanal20/-5108175JaLSIC1MO120G0120 CheckBestellen
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