LSIC1MO120E0160 Series - Enhancement-mode SiC MOSFET, 1200 V, 160 mOhm, N-channel

Baureihe: LSIC1MO120E0160
Power Semiconductor Silicon Carbide LSIC1MO120E0160 Image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

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Littelfuse Siliziumcarbid (SiC) MOSFET LSIC1MO120E0160 1200 V sind mit 1200 V, 160 mOhm in einer TO-247-3L-Verpackung erhältlich.

Eigenschaften:

  • Optimiert für hoch effiziente Hochfrequenzanwendungen
  • Extrem niedrige Gate-Ladung und Output-Kapazität
  • Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
  • Normalzustand „Aus“ bei allen Temperaturen
  • Extrem niedriger Widerstand im „An“-Zustand

Anwendungen:

  • Solar-Umrichter
  • Schaltnetzteile
  • UPS
  • Motorantriebe
  • Hochspannungswechselrichter
  • Induktionserhitzer

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)RoHSTJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStockSamples
Katalog-Nr.Nennspannung (V)Typischer Widerstand im „An“-Zustand (mOhm)Nennstrom (A)Gate-Ladung (nC)KonfigurationAntriebsspannungen (V)Schaltenergie (uJ)RoHSTJ Max. (°C)Bestand prüfenPartner ECAD-ModelleBeständeMuster
LSIC1MO120E0160 12001601457N-Kanal20/-5136Ja150JaLSIC1MO120E0160 CheckBestellen
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
LSIC1MO120E0160 1200V/160mohm SiC MOSFET TO-247-3L RoHS Nein 08/02/2021 PbFree Nein 08/02/2021 CoC_RoHS9_LSIC1MO120E0160 Yes
08/02/2021
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