IXTY32P05T – Trench-Gate-Baureihe

Littelfuse Power Semi TO-252 3 1S2C image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Trench P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für „High-Side“-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung eingesetzt werden kann, wodurch zusätzliche „High-Side“-Treiberschaltungen vermieden werden, die gewöhnlich bei der Verwendung eines N-Kanal-MOSFET erforderlich sind. Dies ermöglicht es Designern, die Komponentenanzahl zu reduzieren und damit die Einfachheit der Treiberschaltung und die Gesamtkostenstruktur der Komponenten zu verbessern. Zudem ermöglicht es den Entwurf einer komplementären Leistungsendstufe mit einem entsprechenden N-Kanal-MOSFET für eine Leistungshalbbrückenstufe, gepaart mit einer einfachen Treiberschaltung.

Eigenschaften:

  • Schnelle intrinsische Diode
  • Niedrige Qg und RDSon
  • Avalanche-bewertet
  • Erweiterte FBSOA
  • Internationale Standard-Packages

Vorteile:

  • Niedrige Gate-Ladung, die zu einfachen Treibanforderungen führt
  • Hohe Leistungsdichte
  • Schnelle Schaltung

Anwendungen:

  • High-Side-Schaltung
  • Lastschalter
  • Niederspannungsanwendungen
  • Hocheffiziente Schaltnetzteile
  • Wechselrichter und Batterieladegeräte
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