IXTT16P60P – Polar™-Baureihe

Littelfuse Power Semi TO-268 3 1S2C image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Polar™ P-Kanal-MOSFETS werden mit unserer Polar-Technologieplattform hergestellt, die den Durchlasswiderstand (RDSon) um 30 % und die Gate-Ladung (Qg) um 40 % im Vergleich zu herkömmlichen Gegenstücken deutlich reduziert, was zu einem geringeren Leitungsverlust und einer hervorragenden Schaltleistung führt. Sie sind dynamisch dv/dt- und Avalanche-bewertet, was sie extrem robust in schwierigen Betriebsumgebungen macht, und können durch einen Durchlasswiderstand mit positivem Temperaturkoeffizienten problemlos parallel geschaltet werden.

Diese MOSFETs sind ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, mit erstklassiger Leistung und wettbewerbsfähigen Preisen. Zu den Anwendungen gehören Gegentaktverstärker, Abwärtswandler, DC-Chopper, Leistungshalbleiterrelais, CMOS-Hochleistungsverstärker, Hochstromregler und High-Side-Schaltungen in Automobil- und Prüfausrüstungen. Die überlegene Robustheit der Polar P-Kanal-Power-MOSFETs macht sie auch zu geeigneten Geräten für Motorsteuerungen und Leistungstrennschalter oder Power-SSR für Energiesparanwendungen.

Eigenschaften:

  • Schnelle intrinsische Diode
  • Robuster PolarP™-Prozess
  • Avalanche-bewertet
  • Geringe Package-induktivität
  • Dynamisch dv/dt-bewertet

Vorteile:

  • Niedrige Gate-Ladung führt zu einfachen Antriebsanforderungen
  • Hohe Leistungsdichte
  • Einfach zu parallelisieren
  • Schnelle Schaltung

Anwendungen:

  • High-Side-Schaltung
  • Gegentaktverstärker
  • DC-DC- und DC-AC-Wandler
  • Automatische Prüfeinrichtung
  • Batterieladegerät-Anwendungen
  • Stromregler
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