IXFQ72N20X3 – X3-Class-Baureihe

Littelfuse Power Semi TO-3P 3 H 1W2N 3L image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Diese Ultra-Junction-MOSFETS, entwickelt unter Benutzung eines Ladungs-Ausgleich-Prinzips (Charge Compensation Principle) liefern die besten Figure of Merit ihrer Klasse (Widerstand -Times-Gate-Ladungs-Leistung), die in den niedrigsten Verlusten bei den Leiterbahnen und beim Umschalten resultieren. Sie bieten den niedrigsten Durchlasswiderstand der Branche.

Mit der niedrigen Sperrverzögerungsladung (reverse recovery charge) und Zeit, sind die Body-Dioden in der Lage sämtliche verbleibende Energie mittels Hochgeschwindigkeits-Switching zu entfernen, um damit Geräte-Versagen zu vermeiden und eine hohe Leistungsfähigkeit zu erreichen.

Darüber hinaus sind diese neuen Geräte avalanchefähig und weisen außerdem bessere dv/dt Leistungen auf. Sie widerstehen Geräteversagen, das durch Spannungsspitzen und zufälliges Anstellen von parasitären Bipolartransistoren, die sich in der MOSFET-Struktur befinden, verursacht wird. Deshalb benötigen diese robusten Geräte weniger Snubber und können sowohl bei harter als auch weicher Schaltleistung eingesetzt werden.

Eigenschaften:

  • Niedrigster Durchlasswiderstand RDS(ON)
    und Gate-Ladung Qg
  • Schnelle, weiche Recovery-Body-Diode
  • dv/dt-Robustheit
  • Erhöhte Avalanche-Fähigkeit
  • Internationale Standard-Packages

 

Anwendungen:

  • Batterielader für kleine, elektrische Fahrzeuge
  • Synchrongleichrichtung beim Schalten
    Stromversorgungen
  • Motorsteuerungen
  • DC-DC-Konverter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Elektro-Gabelstapler
  • Audioverstärker
  • Telekom-Systeme

 

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