Q3-Class Series - 200V - 1100V N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diodes (HiPerFETs)

Littelfuse Discrete MOSFETs Q3-Class Image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Die Leistungs-MOSFETs der Q3-Klasse bieten dem Endverbraucher eine breite Palette von Geräten, die eine außergewöhnliche Leistungsschaltleistung, hervorragende thermische Eigenschaften, verbesserte Strapazierfähigkeit und hohe Energieeffizienz aufweisen. Die Q3-Klasse ist mit Drain-to-Source-Spannungen von 200 V bis 1000 V und Stromabflusswerten von 10 A bis 100 A erhältlich. Sie zeichnet sich durch eine optimierte Kombination aus niedrigem Einschaltwiderstand (Rdson) und Gate-Ladung (Qg) aus, was zu einer erheblichen Reduzierung der Leitungs- und Schaltverluste des Gerätes führt.

Die Leistungsschaltfähigkeiten und die Robustheit des Geräts werden durch den Einsatz unseres bewährten HiPerFETTM-Prozesses weiter verbessert. Dadurch entsteht ein Gerät mit einem schnellen intrinsischen Gleichrichter, das für eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) sorgt und gleichzeitig die kommutierenden dV/dt-Bewertungen (bis zu 50 V/ns) des Geräts verbessert.

 

Eigenschaften:

  • Niedrige Rdson pro Siliziumbereich
  • Niedrige Qg und Qgd
  • Ausgezeichnete dV/dt-Leistung
  • Hochgeschwindigkeitsumschaltung
  • Schneller intrinsischer Gleichrichter
  • Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
  • Hohe Avalanche-Fähigkeit
  • Hervorragende Wärmeleistung

Anwendungen:

  • Blindleistungskompensation
  • Batterieaufladegeräte
  • Schalt- und Resonanzmodus-Netzgeräte
  • Server- und Telekom-Stromsysteme
  • Lichtbogenschweißen
  • Plasmaschneiden
  • Induktionserhitzer
  • Solargenerierungssysteme
  • Motorsteuerungen

Vorteile:

  • Einfache Montage
  • Hohe Leistungsdichte
  • Platzeinsparungen

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate Charge (nC)RthJC (K/W)ConfigurationPackage TypeCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)trr,max (ns)Check StockPart DatasheetSPICE ModelPartner ECAD ModelsStockSamplesCompare
  
Katalog-Nr.VDSS (V)RDS(ON), max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate-Ladung (nC)RthJC (K/W)KonfigurationVerpackungsartCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)trr,max (ns)Bestand prüfenTeil-DatenblattSPICE-ModellPartner ECAD-ModelleBeständeMusterVergleichen
  
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