Polar2™ Series - 500V N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diodes (HiPerFETs)

Littelfuse Discrete MOSFETs Polar2 Image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Polar2™ HiPerFET™-Versionen werden mit Drainstrombewertungen von 24, 42, 52, 74, 94 und 120 Ampere angeboten. Diese leistungsfähigen Versionen bieten alle Merkmale und Vorteile der PolarP2™-Standardversionen, mit dem zusätzlichen Vorteil eines schnellen intrinsischen Gleichrichters für erhöhte dV/dt-Abschaltfestigkeit und niedrige Sperrverzögerungszeiten (trr <=250ns). Darüber hinaus machen diese Vorrichtungen diskrete antiparallele Hochspannungsdioden überflüssig, die in herkömmlichen Designs verwendet werden, wodurch die Anzahl der Teile reduziert, das Leiterplattenlayout vereinfacht, Gesamtverluste reduziert und die Leistungsdichte verbessert wird. Die schnellen intrinsischen Körperdioden-Eigenschaften dieser HiPerFET™-Versionen spielen eine zentrale Rolle bei der Gesamtleistung des Geräts, indem sie ein schnelleres Einschwingverhalten, eine höhere Energieeffizienz, eine verbesserte Robustheit und höhere Betriebsfrequenzen ermöglichen.

Eigenschaften:

  • Niedrige RDS(on) und Qg
  • Niedriger Wärmewiderstand RthJC
  • Hohe Leistungsdissipation
  • Dynamische dv/dt-Bewertungen
  • Avalanche-bewertet

Vorteile:

  • Niedrige Antriebsanforderungen
  • Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsumschaltung
  • Reduzierte Komponentenanzahl und Schaltungskomplexität
  • Gekühlter Geräteantrieb

Anwendungen:

  • SMPS/RMPS, USV, PFC, DC-DC-Wandler, Lasertreiber, Batterieladegeräte, Motorantriebe, Solarwechselrichter, Lampenvorschaltgeräte, Robotik und Servosteuerung

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate Charge (nC)RthJC (K/W)ConfigurationPackage TypeCISS (pF)PD (W)trr,max (ns)Check StockPart DatasheetSPICE ModelPartner ECAD ModelsStockSamplesCompare
  
Katalog-Nr.VDSS (V)RDS(ON), max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate-Ladung (nC)RthJC (K/W)KonfigurationVerpackungsartCISS (pF)PD (W)trr,max (ns)Bestand prüfenTeil-DatenblattSPICE-ModellPartner ECAD-ModelleBeständeMusterVergleichen
  
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