Ultra Junction X4-Class Series - 150V Automotive Qualified Ultra Junction X4-Class Power MOSFETs

Littelfuse Discrete MOSFETs Ultra Junction X4-Class Image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

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Diese Vorrichtungen werden unter Verwendung eines Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt, was zu Leistungs-MOSFETs mit deutlich reduziertem Widerstand RDS(on) und Gate-Ladung Qg. führt. Ein niedriger Durchlasswiderstand reduziert die Leitungsverluste; er senkt auch die in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie, wodurch die Schaltverluste minimiert werden. Eine niedrige Gate-Ladung führt zu einem höheren Wirkungsgrad bei geringen Lasten sowie zu geringeren Anforderungen an den Gate-Treiber. Darüber hinaus sind diese MOSFETs Avalanche-bewertet und weisen eine hervorragende dv/dt-Leistung auf. Auch aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten des Durchlasswiderstandes können sie parallel betrieben werden, um höheren Stromanforderungen gerecht zu werden.

Eigenschaften:

  • AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen
  • Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
  • dv/dt-Robustheit
  • Avalanchefähigkeit
  • Internationale Standard-Packages

 

Vorteile:

  • Hohe Leistungsdichte
  • Einfache Montage
  • Platzeinsparung

 

Anwendungen:

  • Synchrongleichrichtung beim Schalten
    Stromversorgungen
  • Motorsteuerung (48 V-80 V-Systeme)
  • DC-DC-Konverter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Elektro-Gabelstapler
  • Audioverstärker
  • Telekom-Systeme

 

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate Charge (nC)RthJC (K/W)ConfigurationPackage TypeCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)Part DatasheetPartner ECAD ModelsSamplesCompare
 
Katalog-Nr.VDSS (V)RDS(ON), max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate-Ladung (nC)RthJC (K/W)KonfigurationVerpackungsartCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)Teil-DatenblattPartner ECAD-ModelleMusterVergleichen
 
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