Ultra Junction X-Class Series - 800V Automotive Qualified Ultra Junction X-Class Power MOSFETs

Littelfuse Discrete MOSFETs Ultra Junction X-Class Image
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Diese Bauelemente werden unter Verwendung eines Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt, was Leistungs-MOSFETs mit deutlich reduziertem Widerstand RDS(on) und reduzierter Gate-Ladung Qg ermöglicht. Ein niedriger Durchlasswiderstand verringert die Leitungsverluste; er senkt auch die in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie, wodurch die Schaltverluste minimiert werden. Eine niedrige Gate-Ladung führt zu einem höheren Wirkungsgrad bei geringen Lasten sowie zu geringeren Anforderungen an den Gate-Treiber. Darüber hinaus sind diese MOSFETs Avalanche-bewertet und weisen eine hervorragende dv/dt-Leistung auf. Auch aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten des Durchlasswiderstandes können sie parallel betrieben werden, um höheren Stromanforderungen gerecht zu werden.

Eigenschaften:

  • Internationales Standard-Paket
  • Hochspannungspaket
  • Niedrige RDS(ON) und Qg
  • Avalanche-bewertet
  • Geringe Gehäueinduktivität

Vorteile:

  • Hohe Leistungsdichte
  • Einfache Montage
  • Platzeinsparung

Anwendungen:

  • Schalt- und Resonanzmodus-Netzgeräte
  • DC-DC-Konverter
  • PFC-Stromkreise
  • Antriebe für Wechsel- und Gleichstrommotoren
  • Robotertechnik und Servosteuerungen

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate Charge (nC)RthJC (K/W)ConfigurationPackage TypeCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)Part DatasheetPartner ECAD ModelsCompare
 
Katalog-Nr.VDSS (V)RDS(ON), max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate-Ladung (nC)RthJC (K/W)KonfigurationVerpackungsartCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)Teil-DatenblattPartner ECAD-ModelleVergleichen
 
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IXFH50N80XA 8000.105501520.14EinfachTO-2474480218890Part IXFH50N80XA
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