IXYH120N65A5 – Trench-Baureihe

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Diese Geräte wurden mit unserer proprietären XPT™-Dünnwafer-Technologie und dem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess der 5. Generation (GenX5™) entwickelt und zeichnen sich durch einen reduzierten Wärmewiderstand, geringe Energieverluste, schnelles Schalten, niedrigen Schwanzstrom und hohe Stromdichten aus.

Diese IGBTs haben quadratische verpolungssichere Betriebsbereiche (RBSOA) und sind mit einer Durchbruchspannung von 650 V ideal für stoßdämpfungsfreie Hartschaltanwendungen. Weitere Eigenschaften sind ein positiver Kollektor-Emitter-Spannungstemperaturkoeffizient, der es Entwicklern ermöglicht, mehrere Geräte parallel zu betreiben, um hohen Stromanforderungen und niedrigen Gate-Ladungen gerecht zu werden, was dazu beiträgt, die Anforderungen an den Gate-Antrieb und die Schaltverluste zu reduzieren.

Eigenschaften:

  • Niedrige Vcesat, niedrige Eon/Eoff 
  • Optimiert für niedrige Schaltfrequenzen
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Quadratische Verpolungsbetriebsflächen (Reverse Bias Safe Operating Areas, RBSOA)
  • Positiver Wärmekoeffizient von Vcesat

Anwendungen:

  • Akkuladegeräte
  • Leuchten-Vorschaltgerät
  • Motorantriebe
  • Strom-Wechselrichter
  • Schweißmaschinen

Vorteile:

  • Hartschaltfähigkeiten
  • Hohe Leistungsdichten
  • Niedrige Anforderungen an den Gate-Antrieb
  • Einfacher Austausch und Verfügbarkeit von Isolationspaketen
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