IXXH40N65C4D1 – Trench-Baureihe

Baureihe: Trench
Verfügbarkeit: Veraltet

Veraltet

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Diese Geräte wurden mit unserer proprietären XPT™-Dünnwafer-Technologie und dem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess entwickelt und zeichnen sich durch einen reduzierten Wärmewiderstand, geringe Energieverluste, schnelles Schalten, niedrigen Schwanzstrom und hohe Stromdichten aus. Darüber hinaus weisen sie eine außergewöhnliche Robustheit unter Kurzschlussbedingungen auf – einen 10 µs kurzschlusssicheren Betriebsbereich (SCSOA).

Diese IGBTs haben quadratische verpolungssichere Betriebsbereiche (RBSOA) und sind mit einer Durchbruchspannung von 650 V ideal für stoßdämpfungsfreie Hartschaltanwendungen. Weitere Eigenschaften sind ein positiver Kollektor-Emitter-Spannungstemperaturkoeffizient, der es Entwicklern ermöglicht, mehrere Geräte parallel zu betreiben, um hohen Stromanforderungen und niedrigen Gate-Ladungen gerecht zu werden, was dazu beiträgt, die Anforderungen an den Gate-Antrieb und die Schaltverluste zu reduzieren.

Eigenschaften:

  • Niedrige Vcesat, niedrige Eon/Eoff
  • Optimiert für mittlere und hohe Schaltfrequenzen von 10 kHz bis zu 60 kHz
  • Hohe Stoßstromfestigkeit und Kurzschlussfestigkeit
  • Quadratische verpolungssichere Betriebsbereiche (RBSOA)
  • Positiver Wärmekoeffizient von Vcesat

Anwendungen:

  • Akkuladegeräte
  • Leuchten-Vorschaltgerät
  • Motorantriebe
  • Strom-Wechselrichter
  • Schweißmaschinen

Vorteile:

  • Hartschaltfähigkeiten
  • Hohe Leistungsdichten
  • Sonic-Dioden mit Temperaturstabilität der Diodenvorwärtsspannung VF
  • Niedrige Anforderungen an den Gate-Antrieb
     
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