IXGH40N120C3D1 – Hochfrequenz-Reihe

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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

GenX3™ IGBTs werden in unserem robusten HDMOS-IGBT-Verfahren mithilfe der Punch-Through(PT)-Technologie hergestellt. 

300V  GenX3™ IGBTs verfügt über Schalteigenschaften von bis zu 150 kHz mit Nennstrom von 42 A bis 120 A. Die Kombination aus hohen Schaltgeschwindigkeiten und geringen Leitungsverlusten bietet Stromversorgungskonstrukteuren eine neue, hochwertige Option für Schaltanwendungen. Diese strapazierfähigen und robusten UIS-zertifizierten Geräte sind vergleichbar mit den meisten robusten Hochleistungs-MOSFETs.

600V GenX3TM  sind optimiert für Hochstromanwendungen, die Weichschalt-Frequenzen ab 200 kHz und Hartschalt-Frequenzen ab 40 kHz erfordern. Diese Geräte nutzen unsere bewährte Punch-Through(PT)-Technologie, die für höhere Stoßstromfähigkeiten, niedrigere Sättigungsspannungen und geringere Energieverluste sorgt und Entwicklern eine neue, praktikable Option für Schaltanwendungen im 600-V-Bereich bietet.

1200 V GenX3TM nutzt unsere moderne Punch-Through (PT)-Technologie, um niedrigere Sättigungsspannungen, geringere Schaltverluste und höhere Stoßstromfähigkeiten zu gewährleisten. Diese wachsende Produktreihe zielt auf den Markt für Hochspannungsstromumwandlung ab.

Für eine optimale Bauteilauswahl stehen den Konstrukteuren drei Unterklassen mit den Bezeichnungen A3, B3 und C3 zur Verfügung. Diese Klassifizierungen bieten den Konstrukteuren neben einer größeren Flexibilität beim Systemdesign auch die Möglichkeit, die beste Lösung für entscheidende Anforderungen wie Schaltfrequenz, Effizienz und Kosten zu finden. 

Eigenschaften:

  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Internationale Standard-Packages
  • Optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste
  • Superschnelle antiparallele Diode (optional)
  • Avalanche-bewertet
  • Square RBSOA
  • Kostengünstige Alternative zu MOSFETs im 300-V-Bereich
  • Einfache Bedienung mit MOS-Gate-Einschaltfunktion
  • Hochfrequenz-IGBT

Anwendungen: 

  • Stromwechsler
  • UPS
  • Motorantriebe
  • SMPS
  • PFC-Stromkreise
  • Batterieaufladegeräte
  • Schweißgeräte
  • Vorschaltgeräte für Leuchten
  • Einschaltstromschutz-Stromkreise
  • DC Choppers
  • Induktionserhitzung
  • Inverter für Solarsysteme
  • Blindleistungskompensations-Stromkreise
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Schaltnetzteile
  • Motorensteuerung (Wechsel-/Gleichstrommotoren)
  • Kapazitive Entladungsschalter
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