MOS Gated Thyristor Series - MOS Gated Thyristor

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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

  • Entwickelt für Hochleistungspuls- und kapazitive Entladungsanwendungen​​​​​​​ 
  • Einschaltung durch eine am Gate-Anschluss angelegte Spannung (MOS-Struktur)​​​​​​​ 
  • Kann für eine Dauer von 1 Mikrosekunden Strom bis zu 32 kA führen​​​​​​​ 
  • Hohe Leistungsdichten 
  • Niedrige Anforderungen an den Gate-Antrieb
  • Erhältlich in proprietären Gehäusen: Einführung in die Produktlinie (1500-V-MOS-gategesteuerte Thyristoren)​​​​​​​ 
    • Oberflächenmontierbare SMPD und Mini-SMPD​​​​​​​
    • Hochspannungsversionen des internationalen Standards TO-247: TO-247HV und TO-247PLUS-HV 

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #StatusVDM(V)ITSM 1μs TC = 25°C (kA)ITSM 10μs TC = 25°C(kA)VT (V)rT (mOhm)Qg(on) (nC)tri TC = 25°C (ns)VGK(th) (V)Co-pack DiodePackage TypePart DatasheetSamplesCompare
 
Katalog-Nr.StatusVDM(V)ITSM 1 μs TC = 25°C (kA)ITSM 10 μs TC = 25°C (kA)VT (V)rT (mOhm)Qg(on) (nC)tri TC = 25°C (ns)VGK(th) (V)Copack-DiodeVerpackungsartTeil-DatenblattMusterVergleichen
 
IXHH40N150HV Active15007.63.57.51.2991005NeinTO-247HVPart Order
IXHX40N150V1HV Active15007.63.57.51.2991005JaTO-247 PLUS-HVPart
MMIX1H60N150V1 Active15003211.87.51.21801005JaSMPDPart Order
MMJX1H40N150 Not for New Designs150015.56.461.2991005NeinSSMPDPart
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