T0140QC33G – Gekapselte-Baureihe

Littelfuse Power Semiconductors W109 Image
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Hinweis zum Haftungsausschluss

Die Produkte von Littelfuse eignen sich nicht für andere Zwecke (einschließlich und ohne Ausnahmen von Anwendungen im Auto-, Militär-, Raumfahrt-, medizinischen, lebensrettenden, lebenserhaltenden und Nuklearbereich, Geräten, die als chirurgische Implantate gedacht sind bzw. alle anderen Anwendungen, bei denen fehlerhafter oder ausbleibender Betrieb des Produktes zu Verletzung, Tod oder Sachschaden führen kann) als diejenigen, die ausdrücklich in den entsprechenden Produktdokumentationen von Littelfuse aufgeführt sind, und dürfen daher nicht für solche Zwecke eingesetzt werden. Die von Littelfuse gewährten Garantien gelten nicht für Produkte, die für andere als die ausdrücklich in den LittelfuseDokumenten festgehaltenen Zwecke benutzt werden. Littelfuse übernimmt keinerlei Haftung für Ansprüche oder Schäden, die aus der Verwendung von Produkten in Anwendungen, die nicht ausdrücklich von Littelfuse beabsichtigt und in den entsprechenden LittelfuseDokumentationen festgehalten sind, resultieren. Wenn nicht anders mit Littelfuse vereinbart, unterliegt der Verkauf und Einsatz von LittelfuseProdukten den allgemeinen Geschäftsbedingungen für Verkäufe von Littelfuse. „Littelfuse“ umfasst Littelfuse, Inc. und alle seine verbundenen Unternehmen.

Als Pionier der Press-Pack IGBT-Technologie sind wir in der Lage, eine Reihe von erstklassigen Geräten mit Nennspannungen von 1,7 kV (900 V DC-Verbindung), 2,5 kV (1,25 kV DC-Verbindung), 3,3 kV (1,8 kV-Zwischenkreis), 4,5 kV (2,8 kV-Zwischenkreis) und 6,5 kV (3,6 kV DC-Verbindung) anzubieten. Die Konstruktion dieser Vorrichtungen ist völlig frei von Draht- und Lötbindungen, wodurch die mit herkömmlichen Modulen verbundenen Probleme der mechanischen Ermüdung nahezu beseitigt werden. Die interne Streuinduktivität sowohl in den Gate-Verbindungen als auch in den Emitter-Verbindungen ist im Vergleich zu herkömmlichen Modulen erheblich reduziert, was zu einer verbesserten Robustheit und einem verbesserten Kurzschlussverhalten führt und durch direkte Kühlung der Emitter-Seite des Chips weiter verbessert wird.


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