LSIC2SD065C06A Series - 650 V, 6 A SiC Schottky Barrier Diode in TO-252-2L

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Diese Baureihe von Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden hat einen vernachlässigbaren Sperrverzögerungsstrom, ein hohes Ableitvermögen und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Dioden eignen sich perfekt für Anwendungen, bei denen bessere Effizienz, Zuverlässigkeit und Temperaturkontrolle wünschenswert sind. 


Eigenschaften:

  • AEC-Q101-qualifiziert 
  • Positiver Temperatur-Koeffizient für sicheren Betrieb und zur einfachen Parallelschaltung
  • Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
  • Hervorragender Überspannungsschutz
  • Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Dramatisch reduzierte Schaltverluste im Vergleich zu Si-Bipolar-Dioden 

 Anwendungen:

  • Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen 
  • Schaltnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Solar-Umrichter
  • Industrielle Motorantriebe
  • EV-Ladestationen

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Catalog #Peak Forward Surge Current IFSM (A)Package TypeForward Continuous Current IF (A)Reverse Current IR (µA)Vf (V)ConfigurationPartner ECAD ModelsStock
Katalog-Nr.Spitzendurchlassstrom IFSM (A)VerpackungsartDurchlassstrom IF (A)Gegenstrom IR (µA)Vf (V)KonfigurationPartner ECAD-ModelleBestände
LSIC2SD065C06A 32TO-252-2L611.5EinfachLSIC2SD065C06A Check
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