Niedrigstrom-Sperrmodus
Unsere N-Kanal-Feldeffekttransistoren (FET) mit Sperrmodus verwenden einen proprietären vertikalen DMOS-Prozess der dritten Generation. Diese hochgradig zuverlässigen FET-Bauelemente werden oft in unseren verschiedenen Halbleiterrelais für alle Arten von Schaltanwendungen eingesetzt.