„Unsere neue Markenidentität repräsentiert den einzigartigen Wert, den wir der Branche als Lieferant der 1. Kategorie von Leistungshalbleiterbauelementen bieten können, die die gesamte Bandbreite der Energieumwandlungsanforderungen abdecken.“

President und CEO Dave Heinzmann
Littelfuse President & CEO Dave Heinzmann

Integration der Leistungshalbleiter von IXYS und Littelfuse

Während wir große Fortschritte bei der Integration unserer Geschäfte machen, arbeiten wir weiterhin hart daran, innovative Produkte zu produzieren, unser Fachwissen weiterzugeben und unseren Kunden einen erstklassigen Service zu bieten. Lesen Sie die aktuellsten Nachrichten, darunter Artikel über die Vorteile der Siliziumkarbid-Technologie und einen Raytheon 4-Star Supplier Excellence Award.

Neuigkeiten

  • Littelfuse schließt Übernahme von Monolith Semiconductor ab
    11/1/18
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  • Littelfuse kündigt SiC MOSFET mit 1700 V und 1 Ohm an
    9/24/18
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  • Dynamische Charakterisierung von Hochgeschwindigkeits-SiC-Leistungs-MOSFET und -Dioden
    7/25/18
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  • IXYS erhält Lieferantenexzellenz-Auszeichnung von Raytheons Geschäftsbereich Integrated Defense Systems
    7/23/18
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  • Interview: Littelfuse erläutert die Übernahme von IXYS, die Zukunft von SiC und Nicht-SiC Komponenten
    7/6/18
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  • Littelfuse erläutert seinen aggressiven Umstieg auf SiC-Leistungsmodule auf der PCIM 2018
    6/8/18
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  • SiC Schottky-Dioden senken die Stromkosten und verringern den Platzbedarf
    6/5/18
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  • PSDcast: Die Vorzüge von SiC-MOSFETs
    5/8/18
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  • Littelfuse stellt auf der PCIM Europe 2018 das wachsende Portfolio von Leistungshalbleitern vor
    5/22/18
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  • 2018 wird ein SiC-Jahr werden
    4/10/18
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  • Das neue Paradigma für zuverlässige, skalierbare und kostengünstige SiC-Halbleiter
    3/29/18
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  • Littelfuse führt auf der APEC 2018 die SiC-MOSFET mit 1200 V und extrem niedrigem Widerstsand vor
    3/6/18
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  • Littelfuse stellt auf der APEC 2018 das erweiterte Portfolio von Leistungshalbleitern vor
    3/1/18
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  • Littelfuse schließt Übernahme von IXYS ab
    1/17/18
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  • Erweiterte SiC Schottky-Diodenproduktlinie von Littelfuse verringert Schaltverluste und erhöht Effizienz und Widerstandsfähigkeit
    1/15/18
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  • Der erste SiC MOSFET von Littelfuse bietet extrem schnelle Schaltung in Hochleistungselektronik
    10/2/17
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  • Littelfuse „Die Zukunft von Leistungshalbleitern. Heute.“ Vorgestellt auf der PCIM Europa 2017
    5/30/17
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  • Die 1200V SiC Schottky-Dioden von Littelfuse sind die ersten Produkte der neuen Plattform und bieten weniger Schaltverluste und höhere Effizienz.
    5/16/17
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  • Littelfuse präsentiert „TechTalks LIVE!"- Serien auf der PCIM Europa 2017
    5/12/17
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  • Littelfuse stellt auf der PCIM Europa 2017 die Schottky-Dioden aus Silikon-Karbid mit hoher Geschwindigkeit, Flexibilität und Agilität vor
    5/11/17
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  • Littelfuse und Monolith Semiconductor schließen einen erfolgreichen Auftritt auf der APEC 2017 ab und bereiten sich auf die PCIM Europe 2017 vor.
    3/30/17
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  • Littelfuse und Monolith Semiconductor präsentieren neue SiC-Leistungshalbleitertechnologien auf der APEC 2017
    3/23/17
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  • Schottky-Barrieregleichrichter mit extrem niedriger Vorwärtsspannung von Littelfuse ist leistungsstärker als herkömmliche Schaltdioden
    5/10/16
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  • Littelfuse präsentiert: „Protect. Control. Sense“-Anwendungslösungen für den Markt bei der PCIM Europe 2016
    5/4/16
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  • Littelfuse investiert in Silikon-Karbid-Technologie
    12/17/15
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