LSIC1MO120E0080 Baureihe - Erweiterungsmodus SiC MOSFET, 1200 V, 80 mOhm, N-Kanal

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Littelfuse Siliziumcarbid (SiC) MOSFET LSIC1MO120E0080 1200 V sind mit 1200 V, 80 mOhm in einer TO-247-3L-Verpackung erhältlich.

 

Eigenschaften:

  • Optimiert für hoch effiziente Hochfrequenzanwendungen
  • Extrem niedrige Gate-Ladung und Output-Kapazität
  • Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
  • Normalzustand „Aus“ bei allen Temperaturen
  • Extrem niedriger Widerstand im „An“-Zustand

Anwendungen:

  • Solar-Umrichter
  • Schaltnetzteile
  • UPS-Systeme, Motorantriebe
  • Hochspannungswechselrichter
  • Akkuladegeräte und Induktionserhitzer

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)TJ Max (°C)Driving Voltages (V)Switching Energy (uJ)Gate Charge (nC)ConfigurationPackage TypeRoHSStock
Katalog-Nr.Nennspannung (V)Typischer Widerstand im „An“-Zustand (mOhm)Nennstrom (A)TJ Max (°C)Antriebsspannungen (V)Schaltenergie (uJ)Gate-Ladung (nC)KonfigurationVerpackungsartRoHSBestände
LSIC1MO120E00801200802515020/-533095N-ChannelTO-247-3LJaPrüfen