LSIC1MO120E0080 Series - Enhancement-mode SiC MOSFET, 1200 V, 80 mOhm, N-channel

Power Semiconductor Silicon Carbide LSIC1MO120E0080 Image
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Littelfuse Siliziumcarbid (SiC) MOSFET LSIC1MO120E0080 1200 V sind mit 1200 V, 80 mOhm in einer TO-247-3L-Verpackung erhältlich.

 

Eigenschaften:

  • Optimiert für hoch effiziente Hochfrequenzanwendungen
  • Extrem niedrige Gate-Ladung und Output-Kapazität
  • Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
  • Normalzustand „Aus“ bei allen Temperaturen
  • Extrem niedriger Widerstand im „An“-Zustand

Anwendungen:

  • Solar-Umrichter
  • Schaltnetzteile
  • UPS-Systeme, Motorantriebe
  • Hochspannungswechselrichter
  • Akkuladegeräte und Induktionserhitzer

Unten können Sie Spezifikationen und Zertifizierungen einsehen, die Verfügbarkeit prüfen und Teile bestellen.

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)RoHSTJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStockSamples
Katalog-Nr.Nennspannung (V)Typischer Widerstand im „An“-Zustand (mOhm)Nennstrom (A)Gate-Ladung (nC)KonfigurationAntriebsspannungen (V)Schaltenergie (uJ)RoHSTJ Max. (°C)Bestand prüfenPartner ECAD-ModelleBeständeMuster
LSIC1MO120E0080 1200802592N-Kanal20/-5252Ja175JaLSIC1MO120E0080 CheckBestellen
Teilenummer Teilebeschreibung RoHS Bleifrei RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat REACH (SVHC)-Erklärung Halogenfrei REACH (SVHC) Materialdeklaration gemäß IPC
LSIC1MO120E0080 1200V/80mohm SiC MOSFET TO-247-3L RoHS Nein 07/17/2020 PbFree Nein 07/17/2020 CoC_RoHS9_LSIC1MO120E0080 REACH209_Declaration_Contain-_LSIC1MO120E0080 Ja
07/17/2020
Enthält
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